Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF9N50
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF9N50
FQAF9N50 Hakkında
FQAF9N50, Rochester Electronics tarafından üretilen 500V/7.2A N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 730mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. 90W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunan cihaz, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate Charge değeri 36nC (@ 10V) olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarlanmıştır. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve ağır endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Bağlantı şekli Through Hole olup, geleneksel PCB montajına uygundur. Üretim durumu itibariyle ürün Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok