Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF8N80
MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF8N80
FQAF8N80 Hakkında
FQAF8N80, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 5.9A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabilitesi ve 107W maksimum güç dağıtım kapasitesi sayesinde güvenilir performans sunmaktadır. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.95A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok