Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF8N80
MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF8N80
FQAF8N80 Hakkında
FQAF8N80, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltajında 5.9A sürekli dren akımı sağlayabilir. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürme devrelerinde ve endüstriyel motor kontrolü sistemlerinde kullanılır. 1.2Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. 10V gate drive voltajında çalışır ve -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenli operasyon sağlar. Through-hole montaj türü ile PCB'lere doğrudan lehimlenebilir. Maksimum 107W güç tüketimi kapasitesi vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.95A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok