Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQAF7N90

MOSFET N-CH 900V 5.2A TO3PF

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQAF7N90

FQAF7N90 Hakkında

FQAF7N90, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 107W güç dağıtabilir ve 1.55Ω on-resistance (Rds On) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 59nC'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. Through-hole montajı destekler. NOT: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2280 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55Ohm @ 2.6A, 10V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok