Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF7N90
MOSFET N-CH 900V 5.2A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF7N
FQAF7N90 Hakkında
FQAF7N90, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 5.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 1.55Ω maksimum on-direnç (Rds On) ile verimli güç kontrolü sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. İnverter, converters, motor kontrol devreleri ve elektrik güç sistemlerinde kullanılır. Gate charge'ı 59nC olup, hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan monte edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok