Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF6N80
MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF6N80
FQAF6N80 Hakkında
FQAF6N80, onsemi tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistördür. 4.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirir. 1.95Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimalize eder. TO-3P-3 paketinde sunulan komponent, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 90W güç tüketimi yapabilir. 31nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95Ohm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok