Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF6N80
MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF6N80
FQAF6N80 Hakkında
FQAF6N80, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 4.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paketinde sunulan transistör, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yer alır. 1.95Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli iş yapabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 90W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95Ohm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok