Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQAF44N10

MOSFET N-CH 100V 33A TO3PF

Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQAF44N10

FQAF44N10 Hakkında

FQAF44N10, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 33A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-3P-3 Full Pack (TO-3PF) paketinde sunulan bu bileşen, güç uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 39mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. ±25V gate voltaj aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında işletilmeye uygundur. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve elektrik yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Maksimum 85W güç disipasyonuna dayanıklıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 16.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok