Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF40N25
MOSFET N-CH 250V 24A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF40N25
FQAF40N25 Hakkında
FQAF40N25, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 24A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, 70mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 110nC olup, 10V drive voltajı ile kontrol edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 108W güç yayılabilir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve ağır yük uygulamalarında yer alır. Through-hole montajı için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 108W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok