Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF34N25
MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF34N25
FQAF34N25 Hakkında
FQAF34N25, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltaj ve 21.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 full pack paketlemesiyle through-hole montajı destekler. 85mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 100W maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. ±30V gate voltaj toleransıyla geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 10.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok