Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQAF33N10

MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQAF33N10

FQAF33N10 Hakkında

FQAF33N10, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 25.8A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paketine sahip olan bu bileşen, 52mOhm on-state direnci sayesinde düşük kayıp işletimine olanak tanır. Gate charge 51nC ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, şarj devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±25V gate gerilimi aralığında ve -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Through-hole montajı ile PCB'ye direkt entegrasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 12.9A, 10V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok