Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQAF28N15

MOSFET N-CH 150V 22A TO3PF

Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQAF28N15

FQAF28N15 Hakkında

FQAF28N15, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi (Vdss) ve 22A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabillik sağlar. 90mOhm maksimum Rds(on) değeri ile iletim kayıplarını minimize eder. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 102W güç tüketim kapasitesi ve ±25V gate gerilim aralığı ile tasarımcılara esneklik sunar. Şu anda üretimi durdurulmuştur (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok