Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF27N25
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF27N25
FQAF27N25 Hakkında
FQAF27N25, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 250V Drain-Source gerilimi ve 19A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 110mΩ maksimum RDS(on) değeriyle anahtarlama kaybını minimize eder. TO-3P-3 Through Hole paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrolcüler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, 95W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. 65nC gate charge ve 2450pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 95W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok