Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF22P10
MOSFET P-CH 100V 16.6A TO3PF
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF22P
FQAF22P10 Hakkında
FQAF22P10, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 16.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, 125mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve invertör tasarımlarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, 70W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 10V sürücü gerilimi ile uyumlu olarak tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 8.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok