Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF19N60
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF19N60
FQAF19N60 Hakkında
FQAF19N60, onsemi tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET'tir. TO-3P-3 paketinde sunulan bu transistör, 11.2A kontinyu dren akımı ve 120W güç dağıtımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 380mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Gate charge değeri 90nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Yüksek voltaj anahtarlama, güç kaynakları, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok