Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF19N60
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF19N60
FQAF19N60 Hakkında
FQAF19N60, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, 11.2A sürekli dren akımı kapasitesine ve 380mOhm maksimum drain-source direncine sahiptir. ±30V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde kullanılabilir. 90nC gate charge ve 3600pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, AC/DC adaptörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanım için tasarlanmıştır. Maksimum 120W güç dissipasyonu desteği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok