Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF19N20L
MOSFET N-CH 200V 16A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF19N20L
FQAF19N20L Hakkında
FQAF19N20L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-3PF paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 140mOhm maksimum on-state direnci ile verimliliği artırırken, geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) endüstriyel ortamlar için uygundur. Gate şarj değeri 35nC olup 10V gate drive voltajında optimum performans sağlar. Yüksek güç dissipasyonu (85W) uygulamaları destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok