Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF19N20
MOSFET N-CH 200V 15A TO3PF
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF19N20
FQAF19N20 Hakkında
FQAF19N20, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3PF paketinde sunulan bu bileşen, 85W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile endüstriyel, otoomotiv ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. 10V gate drive voltajında 150mOhm on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge değeri 40nC olup, hızlı komutasyon gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok