Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF19N20
MOSFET N-CH 200V 15A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF19N20
FQAF19N20 Hakkında
FQAF19N20, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 15A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, 85W maksimum güç dağılımı sağlar. 150mΩ (10V, 7.5A) on-state direnci ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında kolaylıkla entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok