Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF17P10
MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF17P
FQAF17P10 Hakkında
FQAF17P10, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 12.4A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtar uygulamalarında kullanılır. 190mΩ maksimum On-Resistance değeri ile verimli şaltırma performansı sağlar. TO-3PF paket tipinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç amplifikatörleri, motor kontrolü, enerji dönüştürme devreleri ve doğru akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 56W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 6.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok