Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF16N25C
MOSFET N-CH 250V 11.4A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF16N25C
FQAF16N25C Hakkında
FQAF16N25C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 11.4A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 10V gate sürü geriliminde 270mOhm maksimum Rds(On) değeri ile orta güç uygulamalarında etkili anahtarlama performansı sunar. TO-3P-3 Full Pack paketlemede sağlanan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 73W maksimum güç saçılım kapasitesiyle tasarlanmıştır. Through-hole montaj tipine sahiptir. Ürün mevcut üretimde kullanılmamaktadır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 73W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok