Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF16N25
MOSFET N-CH 250V 12.4A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF16N25
FQAF16N25 Hakkında
FQAF16N25, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V Drain-Source gerilimi ve 12.4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 230mOhm RDS(on) değerine sahiptir. TO-3P-3 paketleme ile Through Hole montajına uygun olan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile +150°C işletim sıcaklık aralığında çalışır. 35nC gate charge ve 1200pF input kapasitansı özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 85W güç tüketimi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 6.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok