Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF12P20
MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PF
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF12P
FQAF12P20 Hakkında
FQAF12P20, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 200V Drain-Source gerilimi ve 8.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yer alır. 470mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük kayıp özellikleri gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 70W maksimum güç yayılımına sahiptir. Özellikle inverted polarity koruması gereken devre tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok