Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQAF11N90C

MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQAF11N90C

FQAF11N90C Hakkında

FQAF11N90C, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. 7A sürekli drenaj akımı ve 120W güç tüketimi kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 through-hole paketi ile board montajı sağlar. 10V gate sürüş voltajında 1.1Ohm RDS(on) ile elektrik kayıpları minimize edilir. Gate charge 80nC olup anahtarlama hızı iyi düzeydedir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Endüstriyel AC/DC güç kaynakları, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok