Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF11N90
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF11N90
FQAF11N90 Hakkında
FQAF11N90, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu komponent, 7.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 960mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp özelliği sunar. 120W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda, güç kaynakları, inverter devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 94nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok