Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF11N90
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF11N90
FQAF11N90 Hakkında
FQAF11N90, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilim ve 7.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-3P-3 kasa tipinde through-hole montajı destekler. Maksimum 960mOhm (10V, 3.6A) on-resistance değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge 94nC @ 10V ve input capacitance 3500pF @ 25V özelliklerine sahiptir. Yüksek voltajlı anahtarlama, güç dönüştürme devreleri ve indüktif yük kontrolü uygulamalarında kullanılan bu bileşen, maksimum 120W güç yayma kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok