Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF10N80
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF10N80
FQAF10N80 Hakkında
FQAF10N80, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi (Vdss) ve 6.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. 1.05Ω on-resistance değeri ile güç kaybını minimize eder. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürme sistemlerinde, inverter ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 71nC gate charge ve 2700pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sunar. Maksimum 113W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 113W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 3.35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok