Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQAF10N80
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQAF10N80
FQAF10N80 Hakkında
FQAF10N80, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanıma uygundur. 25°C'de 6.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 1.05Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde düşük iletiş kaybı sağlar. 71nC gate charge ile hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirilebilir. TO-3P-3 Full Pack paketinde sunulan bu bileşen, güç konvertörleri, invertörler, motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır. 113W maksimum güç kaybı gücü ile termal yönetim gerektiren ağır yük uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 113W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 3.35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok