Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA9P25
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA9P25
FQA9P25 Hakkında
FQA9P25, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel güç MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 10.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 620mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlayarak, anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu transistör, güç elektroniği devrelerinde, anahtarlama kaynakları, motor kontrolü ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 150W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için uygundur. Through-hole montaj tipi standart PCB işleme prosesleri ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 5.25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok