Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA9N90C-F109
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA9N90C
FQA9N90C-F109 Hakkında
FQA9N90C-F109, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-3P kapsüde sunulan bu bileşen, güç dönüşüm devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve endüstriyel güç elektroniği sistemlerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 280W güç dağıtabilir. Gate charge 58nC olup hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. ±30V gate gerilimi ile çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2730 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 280W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok