Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA9N90C

MOSFET N-CH 900V 9A TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA9N90C

FQA9N90C Hakkında

FQA9N90C, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET'tir. TO-3P kapsülde sunulan bu transistör, 9A sürekli dren akımı kapasitesine ve 1.4Ω maksimum on-state direncine (Rds On) sahiptir. Gate charge 58nC, input kapasitesi ise 25V'te 2730pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, 280W maksimum güç dağıtabilir. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç dönüştürme devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. ±30V maksimum gate voltajı ve 5V threshold voltajı ile hassas kontrol sağlar. Ürün şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 280W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok