Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA9N90-F109
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA9N90
FQA9N90-F109 Hakkında
FQA9N90-F109, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source voltajı ve 8.6A sürekli drenaj akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paketlemesi ile through-hole montaj desteği sağlar. ±30V gate voltajı aralığında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. 240W maksimum güç disipasyon kapasitesi ile endüstriyel ve tıbbi ekipman tasarımlarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok