Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA9N90
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA9N90
FQA9N90 Hakkında
FQA9N90, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 900V Drain-Source gerilimi ve 8.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.3Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. ±30V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında sıcaklık toleransına sahiptir. 240W güç dissipasyonu kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde tercih edilir. TO-3P-3 paket tipinde Through Hole montajı ile PCB'ye sabitlenir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok