Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA9N50
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA9N50
FQA9N50 Hakkında
FQA9N50, onsemi tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 9.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 160W güç tüketimine dayanıklı olan transistör, 730mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel enerji yönetimi sistemlerinde kullanılan bu komponentin gate charge değeri 36nC olup, hızlı komütasyon özelliği vardır. Through-hole montaj tipi ile standart PCB işleme uyumludur. Not: Bu ürün obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok