Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA90N10V2

MOSFET N-CH 100V 105A TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA90N10V2

FQA90N10V2 Hakkında

FQA90N10V2, onsemi tarafından üretilen 100V drain-source gerilimi ve 105A sürekli drain akımı özelliklerine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 10mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında, 330W maksimum güç dağıtabilir. Kuvvetli anahtarlama performansı ve düşük gate charge (191nC) sayesinde güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. TO-3P montaj tipi ile DIP packaging sunulur. Lütfen en güncel datasheet belgesi ile ürünün kullanılabilirliğini kontrol ediniz.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 105A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6150 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 52.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok