Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA90N10V2
MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA90N10V2
FQA90N10V2 Hakkında
FQA90N10V2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 105A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 10mΩ maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-3P paket tipiyle güçlü isı dağıtımı sağlayan tasarıma sahiptir. 330W maksimum güç tüketimi kapasitesi sayesinde güç elektronikleri, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Maksimum ±30V gate gerilimi toleransı ile güvenli kontrol sağlanır. Malzeme durumu olarak kullanım dışı (obsolete) olmasına rağmen, teknik özelikleri benzer modern alternatiflerin değerlendirilmesinde referans olarak kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 105A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 191 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 330W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 52.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok