Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA8N90C

MOSFET N-CH 900V 8A TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA8N90

FQA8N90C Hakkında

FQA8N90C, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-3P paket ile sunulan bu komponent, 8A sürekli drain akımı kapasitesi ve 1.9Ω maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±30V gate voltaj aralığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlayıcı uygulamalarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Bileşen kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2080 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok