Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA8N90C-F109
MOSFET N-CH 900V 8A TO3PN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA8N90C
FQA8N90C-F109 Hakkında
FQA8N90C-F109, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P kapsülü içinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 8A sürekli dren akımı ve 1.9Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç tüketimi minimize edilmiş şekilde çalışabilir. 45nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj spiker uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok