Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA8N90C
MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA8N90C
FQA8N90C Hakkında
FQA8N90C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate drive voltajında 1.9Ω maksimum RDS(On) değerine sahiptir. Endüstriyel güç denetim devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 240W maksimum güç tüketimi özelliklerini destekler. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok