Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA8N80C_F109

MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA8N80C

FQA8N80C_F109 Hakkında

FQA8N80C_F109, onsemi tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET'tir. TO-3P paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. 8.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 1.55Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 45nC gate charge ile hızlı anahtarlama sağlar. Endüstriyel güç dönüşüm devreleri, SMPS, inverter ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 220W güç saçabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55Ohm @ 4.2A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok