Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA8N80C
MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA8N80C
FQA8N80C Hakkında
FQA8N80C, onsemi tarafından üretilen 800V yüksek voltaj N-Channel MOSFET'tir. TO-3P paketinde sunulan bu transistör, sürekli 8.4A dren akımı kapasitesi ve maksimum 1.55Ω RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 220W güç dağılım kapasitesi sayesinde anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, UPS sistemleri, endüstriyel anahtarlamalar, yüksek voltaj DC/DC dönüştürücüleri ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. ±30V gate voltaj aralığında çalışan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında güvenilir performans sunar. Gate şarj (Qg) karakteristiği 45nC ve input kapasitesi 2050pF olup, hızlı anahtarlama gerekli uygulamalara uygundur. Bileşen şu anda yaşlı (obsolete) statüsündedir ve stok kontrol edilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 220W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 4.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok