Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA8N80
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA8N80
FQA8N80 Hakkında
FQA8N80, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 8.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor kontrolü ve anahtarlamalı güç devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 220W güç tüketim kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş uygulama yelpazesi sunar. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 220W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 4.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok