Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA8N100C
MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA8N100C
FQA8N100C Hakkında
FQA8N100C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source voltaj ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, power switching, güç dönüştürme devreleri ve inverter uygulamalarında rol oynar. 1.45Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 225W güç saçabilme kapasitesine sahiptir. Gate kapasitesi 3220pF ve gate charge 70nC'dir. Through-hole montajlı tasarımı klasik endüstriyel ve harita uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 225W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.45Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok