Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA7N90
MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA7N
FQA7N90 Hakkında
FQA7N90, onsemi tarafından üretilen 900V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 7.4A sürekli dren akımı kapasitesine ve 1.55Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge 59nC olup 10V sürücü voltajıyla çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç Mosfet uygulamalarında, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, inverterler ve high-voltage anahtarlama tasarımlarında tercih edilir. 198W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunan bu transistör, yüksek voltaj endüstriyel uygulamalarında güvenilir bir seçimdir. (Not: Bu ürün kullanım dışı bırakılmıştır)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 198W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok