Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQA7N90_F109

MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FQA7N90

FQA7N90_F109 Hakkında

FQA7N90_F109, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 7.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 1.55Ω maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç kaynakları, enerji dönüştürme sistemleri ve yüksek voltaj denetim devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 198W maksimum güç dağıtımı gerçekleştirebilir. TO-3P through-hole montajı ile standart PCB uygulamalarında kolayca entegre edilebilir. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2280 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55Ohm @ 3.7A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok