Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA7N90
MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA7N90
FQA7N90 Hakkında
FQA7N90, Rochester Electronics tarafından üretilen 900V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistördür. 7.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç uygulamalarında gerilim kontrolü ve anahtarlama işlevleri için tasarlanmıştır. TO-3P paket tipi ile through-hole montajına uygun olan FQA7N90, 1.55Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 198W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılabilirliğini arttırır. 59nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Yüksek voltaj güç kaynakları, invertörler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 198W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok