Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA7N80C
MOSFET N-CH 800V 7A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA7N80
FQA7N80C Hakkında
FQA7N80C, onsemi tarafından üretilen 800V rated N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 7A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 1.9Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 35 nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 198W maksimum güç yayını yapabilir. Yüksek voltaj uygulamaları, güç kaynakları, invertör devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. Bileşen obsolete durumda olup, yeni tasarımlarda yerine konabilir alternatifler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 198W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok