Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA7N80C
MOSFET N-CH 800V 7A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA7N80C
FQA7N80C Hakkında
FQA7N80C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-3P paket tipi ile through-hole montajına uygun olup, -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. 1.9Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge 35nC ve input capacitance 1680pF olan bu transistör, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve yüksek voltaj regülatörlerinde tercih edilir. 198W maksimum güç tüketimi kapasitesi bulunmaktadır. Not: Bu ürün obsolete (üretim dışı) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 198W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok