Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA7N80
MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA7N80
FQA7N80 Hakkında
FQA7N80, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 7.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi için tasarlanmıştır. 1.5Ohm maksimum drain-source direnci (10V gate geriliminde) ile minimum enerji kaybı sağlar. Gate yükü 52nC olup, hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 198W güç dağıtabilir. Endüstriyel, elektrik sistemi kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 198W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok