Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQA7N60
MOSFET N-CH 600V 7.7A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQA7N60
FQA7N60 Hakkında
FQA7N60, onsemi tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 7.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu komponentin maksimum drain-source gerilimi 600V'tur. TO-3P paketinde sunulan transistör, 10V gate sürü geriliminde 1Ω maksimum Rds(on) değerine ulaşır. Operating temperature aralığı -55°C ile 150°C arasında değişmektedir. Gate charge özellikleri 38nC @ 10V'tur. Bu MOSFET, güç anahtarlama uygulamaları, AC motorları kontrol devrelerinde, solar inverter sistemlerinde ve yüksek voltajlı switch mode power supplies (SMPS) tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Through hole montaj özelliği ile PCB'lere direkt lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 152W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok